Наличие дополнительной дырки


Легирование — это процесс добавления примесей в полупроводниковый материал. Тепло создает проблемы в полупроводниковых материалах, позволяя электронам разрывать ковалентные связи. Используются два типа примесей.

Наличие дополнительной дырки

Следовательно, дырки являются основными носителями, а электроны — неосновными. Легирование — это процесс добавления примесей в полупроводниковый материал. Кристаллы образуются из атомов, которые совместно используют свои валентные электроны путем образования ковалентных связей.

Наличие дополнительной дырки

В легированном полупроводниковом материале находится много донорских атомов. Трехвалентные материалы имеют атомы с тремя валентными электронами и используются для изготовления полупроводников р-типа. Чистые полупроводниковые материалы, такие как германий и кремний, содержат при комнатной температуре небольшое количество электронно-дырочных пар и поэтому могут проводить очень маленький ток.

Пятивалентные материалы имеют атомы с пятью валентными электронами и используются для изготовления полупроводников п-типа. Вторая, называемая трехвалентной, состоит из атомов с тремя валентными электронами.

Вторая, называемая трехвалентной, состоит из атомов с тремя валентными электронами. Полупроводниковые материалы имеют отрицательный температурный коэффициент сопротивления: В полупроводнике п-типа электроны являются основными носителями, а дырки — неосновными носителями. Если бы этих примесей не было, то большинства полупроводниковых приборов не существовало бы.

Чем сильнее полупроводниковый материал легирован, тем меньше его электрическое сопротивление. В полупроводнике р-типа дырки являются основными носителями, а электроны — неосновными носителями.

Соответствующие дырки будут двигаться по направлению к отрицательному выводу. Если к полупроводнику р-типа приложено напряжение, дырки начинают двигаться по направлению к отрицательному выводу, а электроны — по направлению к положительному выводу.

В полупроводнике р-типа дырки являются основными носителями, а электроны — неосновными носителями. Чистые полупроводники являются объектом, главным образом, теоретического интереса. В полупроводнике п-типа электроны являются основными носителями, а дырки — неосновными носителями.

Дырки называются неосновными носителями. Кроме того, к положительному выводу начнут двигаться электроны, которые смогут разрушить свои ковалентные связи. Главная Форум Файлы Лаборатория. Вторая, называемая трехвалентной, состоит из атомов с тремя валентными электронами.

Кристаллы образуются из атомов, которые совместно используют свои валентные электроны путем образования ковалентных связей. Поскольку основные носители имеют положительный заряд, материал называется полупроводником р-типа.

При повышении температуры, электроны в полупроводниковом материале дрейфуют от одного атома к другому. Атом мышьяка размещает четыре своих валентных электрона в ковалентные связи с соседними атомами. Так как дырки легко принимают электроны, атомы, которые вносят в полупроводник дополнительные дырки называются акцепторными.

Полупроводниковые материалы п-типа и р-типа имеют значительно более высокую проводимость , чем чистые полупроводниковые материалы. Если бы этих примесей не было, то большинства полупроводниковых приборов не существовало бы. Кристаллы образуются из атомов, которые совместно используют свои валентные электроны путем образования ковалентных связей.

Атом мышьяка называется донорским атомом , поскольку он отдает свой лишний электрон. Следовательно, электроны называются основными носителями. Полупроводниковые материалы имеют отрицательный температурный коэффициент сопротивления:

При комнатной температуре количество дополнительных свободных электронов превышает количество электронно-дырочных пар. В полупроводнике п-типа электроны являются основными носителями, а дырки — неосновными носителями. Ток в полупроводниковых материалах состоит из направленного движения электронов и направленного движения дырок.

Трехвалентные материалы имеют атомы с тремя валентными электронами и используются для изготовления полупроводников р-типа.

Мы сделаем ее доступной. Чистые полупроводниковые материалы, такие как германий и кремний, содержат при комнатной температуре небольшое количество электронно-дырочных пар и поэтому могут проводить очень маленький ток. Справочник радиолюбителя Электроника для всех. Дырка представляет собой отсутствие электрона в валентной оболочке.

Когда чистый полупроводниковый материал легируется пятивалентным материалом, таким как мышьяк As , некоторые атомы полупроводника замещаются атомами мышьяка. Атом мышьяка называется донорским атомом , поскольку он отдает свой лишний электрон.

Полупроводниковые материалы имеют наполовину заполненные валентные оболочки. Это означает, что в материале больше электронов, чем дырок. Вторая, называемая трехвалентной, состоит из атомов с тремя валентными электронами. При обычных условиях количество дырок в таком материале значительно превышает количество электронов.



Порно обильно кончил в рот
Памелла андерсон в play boy
Пизди на прокат
Российские про ролики внук трахает бабушку на даче смотреть онлайн
Пикапер трахнул негритянку порно
Читать далее...

<